ESD&EOS产品结构上简析，帮你避开保护盲区

保元件提显露了重新挑战，一方面要求相近试验前提条件下的钳位功率要愈来愈偏高，还要显然中高的寄生磁容器，传统内部珠构的元件要到已不再满足顾客的需要求量。

如HDMI终口硬件芯片的水密偏高，且完全相同新厂家的水密值也完全相同，要保证都试验通过，就要求确保元件兼容最偏高水密，在工程项目运用中都也存在着走线耽误、灯丝不稳定等引起的μs级别甚至ms级别的颇铍破坏力波形引入，骤起程内部珠构运用而生。

骤起程内部珠构可以显然偏高磁容器、颇高水密且钳位功率非常偏高，中高磁容器在颇高速通信中都不才会对接收器有较多的原因，颇高水密可以避开误动作，钳位功率偏高可以有效确保在ESD打击下被确保元件不只能不耐过颇高的功率。从顾客合向显露发可以相对来说完美地解决偏高磁容器、偏高钳位功率的运用需要求量。

维安通过在具体运用和方案有关单位过程迅速的归纳，阐述显露如下运用要点：

如前所述内部珠构

仅有仅有仅限于于所有的终口确保，具体变量与被确保的终口磁适应性相关联。但是对于一些水密差的元件，确实才会有试验失败的情况。

小骤起程内部珠构

仅限于于接收器终口和之外较差陶瓷晶片的继磁器IC硬件。较如前所述内部珠构相近试验前提条件下具有愈来愈偏高的钳位功率。选改型只能警惕VBO、IH和VH变量，防止浪涌功率大于VBO时的确保盲区和VH偏高于继磁器波动颇高功率时显露现的前端栓。

大骤起程内部珠构

仅限于于颇高陶瓷晶片的颇高速接收器硬件，具有中高磁容器和钳位功率，对水密尖锐改型硬件具有很好的确保作用，对磁容源传动装置改型终口不劝告运用于。对于此类元件，关注变量较多，选改型须草率，确实才会带来终口前端栓或受控。

#具体案例量化

某顾客只能在接收器终口开展EOS试验和ESD试验。顾客同时选合了A新厂家的小骤起程性元件α和维安公司的元件β。

规格书原始数据如下：

TLP椭圆：

布7 元件α TLP椭圆

布8 元件β TLP椭圆

从规格书的之外变量可以得显露，两家厂家的性能指标较为相似，主要是内部珠构完全相同。试验珠果如下：

α元件能通过浪涌等级20V，但是在从8V开始的SP试验中都，12V和14V却显露现了后口IC受控的珠果，当浪涌功率愈来愈颇高时，元件又起到了确保的作用；而β却能通过整个浪涌等级的试验。从元件规格书对比来看，α的VC比β要好。通过示波器比方说功率取得如下波形：

布9 元件钳位后的功率波形（黑色α，白色β）

从波形可以看显露，黑色噩梦S红和白色噩梦S绿之外是两个元件的能量分布差异；α元件在12V周围的功率前提条件下，其由于有鉴于此元件trigger的打开时间偏长甚至是未能打开，而后口的IC却无法负荷施加压力的浪涌能量，导致后口IC受控。即使如此β元件，只要浪涌功率超过元件的杀伤功率，元件就才会动作，并促使钳位功率，来超显露确保后口IC的旨在。

对于有潜能的试验和制造人员来说，当外部施加压力的EOS浪涌愈来愈颇高时，比如16V以上，这时骤起程内部珠构的灵活性开始凸显，钳位缺点也才会愈来愈好。但是作为器材的耐用性确保，其确保之内是一定要确保等级定义下的全浪涌之内的确保，而不是有一个确保盲区。

#阐述

完全相同内部珠构的TVS元件在确保后口器材时，显现出的珠果并不是具体性的。除了元件本身的变量，制造人员在开展确保方案设计的时候只能确实自己厂家的不同之处，确实所造成的生态环境能量估算和对确保元件的分界为了让，以超显露最出色的厂家确保的旨在。

目前业内大之外新厂家都是这样一来给提拔磁路，这样一来告诉他设计者解法为了让哪个元件，却很少对选改型过程提供理论模型推测、测算。大之外磁子设计者针对ESDPriceEOS选改型时，小孩子凭潜能，新人凭参考，一旦移除新厂家或者移除试验前提条件，就无从下手了。

维安依托优秀的FAE应用工作团队和不断完善的EMC研究小组可开展方案设计、优化和有关单位，颇高质量的服务顾客，为顾客的厂家提供强有力的确保。

注1：理论模型量化之外参考引述了朱可平教授的发表文章。

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