MT47H128M16RT-25E XIT:C寄存器芯片MT47H128M16RT-25E AIT:C

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英特尔美国公司(Micron)坚称将在18个月内为其配有 DDR4 总线的 DRAM RAM模组减小NAND 快闪RAM(flash)。该美国公司预期，这种可封装256GbRAM的混合式 DIMM (Hybrid DIMM) 将可调动微软(Microsoft) Windows 管理系统，并实现超越当今配有 PCI Express 的固体驱动器(SSD)稳定性，从而开启更为多新近运用于。英特尔美国公司坚称，此举将赋予 flash在电脑RAM层级之前的全新近定位。这种 Hybrid DIMM 虽然比 SSD 更为加昂贵，但可给予极高稳定性──奈米级的RAM接取低速，而非微秒(ms)级低速。有数OEM与用户端正与英特尔洽谈这种 Hybrid DIMM 的可能运用于，有数RAM内(in-memory)资料库等。英特尔美国公司认为，该模组反为作为转化大型 DRAM 快取的更为快速 SSD 、转化flash 的 DRAM 模组，以及基于 DRAM 的 flash 贮存等运用于。

这种 Hybrid DIMM 有别于配有伺服作为主图形界面相连处理器，同时还配上了另一个快闪RAM伺服。 Windows 管理系统的调动也是实现这种混合式 DIMM 的关键。英特尔美国公司在基本上六个月以来已针对该高效率展开多次咨询，但现在尚无释出这部分的具肝细胞容。英特尔美国公司现正专注研发针对 Linux 管理系统的调动，期望在发售 DDR4 产品时释出无关Linux。据传三星集团现在表达对该项高效率十分感兴趣。但三星集团和微软都并未已对加以澄清。

此外，英特尔与其合作伙伴Gigatech Products现在出样非常温下的 DIMM 产品了，转化flash 和超级电容器作为 DRAM 的备案，以因应电源发生故障的可能。而Netlist美国公司据闻现在发售类似的产品了。从短期内来看，英特尔预计发售 Hybrid Memory Cub (HMC)──这种转化 3-D RAM与直觉堆叠的版本仅限于于紧密结合ASIC和FPGA。现在的的 HMC 的设计有别于一种具16个串列解串器(serdes)的介面，可以10Gb/s的低速分派，并可调谐至15Gb/s。

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